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产物

对于

三安 集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通信等范畴的化合物半导体系体例造平台;具有衬底资料、内涵发展、和芯片制作的财产整合才能。

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三安 集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通信等范畴的化合物半导体系体例造平台;具有衬底资料、内涵发展、和芯片制作的财产整合才能。 在微波射频范畴,以后已推出具有国际合作力的 GaAs HBT 、pHEMT 等面向射频利用的进步前辈制程工艺,已建成专业化、范围化的4 吋、6 吋化合物晶圆制作产线。 在电力电子范畴,现已推出高靠得住性,高功率密度的SiC 功率二极管及硅基氮化镓功率器件。 在光通信范畴, 已具有出产DFB、VCSEL、PD APD 等数通产物的才能,并面向3D sensing,红外LiDAR 等花费利用范畴开辟出高功率可见波段、红外波段VCSEL,及端面发光激光器(EEL)等利用产物。

进程中的利用

晶圆代工制程 制程系列 首要用处
HBT (砷化镓异质结双极型晶体管) H20HL (高线性制程)
  • 手机,无线宽带功率缩小器
  • 手机,无线宽带低杂讯缩小器增益器
    通信旌旗灯号切换器
    通信微波器件
  • 增益器
  • 通信旌旗灯号切换器
  • 通信微波器件
H20HR (高韧性制程)
pHEMT (砷化镓伪型态高电子迁徙率晶体管)
P25ED (加强/耗尽夹杂型)
P25PA (功率型)
P25SW (低启动阻抗型)
SiC  SBD/MPS ( 碳化硅肖特基二极管) 疾速答复肖特基二极管 绿能节能器件:
  • 花费电子产物的电源转换/反向器
  • 汽车/交通东西利用电源转换/反向器
  • 财产用大功率电源转换/反向器
GaN FET(氮化镓场效应晶体管) 耗尽型场效应三极管
加强型场效应三极管
 VCSEL 
垂直腔面发射激光器
  • 传感器/3D人脸辨认/HDMI