对于
三安 集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通信等范畴的化合物半导体系体例造平台；具有衬底资料、内涵发展、和芯片制作的财产整合才能。
http://www.sanan-ic.com
三安 集成电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通信等范畴的化合物半导体系体例造平台；具有衬底资料、内涵发展、和芯片制作的财产整合才能。 在微波射频范畴，以后已推出具有国际合作力的 GaAs HBT 、pHEMT 等面向射频利用的进步前辈制程工艺，已建成专业化、范围化的4 吋、6 吋化合物晶圆制作产线。 在电力电子范畴，现已推出高靠得住性，高功率密度的SiC 功率二极管及硅基氮化镓功率器件。 在光通信范畴， 已具有出产DFB、VCSEL、PD APD 等数通产物的才能，并面向3D sensing，红外LiDAR 等花费利用范畴开辟出高功率可见波段、红外波段VCSEL，及端面发光激光器（EEL）等利用产物。
进程中的利用
| 晶圆代工制程 | 制程系列 | 首要用处 |
|---|---|---|
| HBT (砷化镓异质结双极型晶体管) | H20HL (高线性制程) |
|
| H20HR (高韧性制程) | ||
| pHEMT (砷化镓伪型态高电子迁徙率晶体管) |
P25ED (加强/耗尽夹杂型)
|
|
| P25PA (功率型) | ||
| P25SW (低启动阻抗型) | ||
| SiC SBD/MPS ( 碳化硅肖特基二极管） | 疾速答复肖特基二极管 |
绿能节能器件：
|
| GaN FET（氮化镓场效应晶体管） | 耗尽型场效应三极管 | |
| 加强型场效应三极管 | ||
| VCSEL |
垂直腔面发射激光器
|
|